[1 CON] Mosfet IRFP4668 TO-247 130A 200V Kênh N (4668)

Giới thiệu [1 CON] Mosfet IRFP4668 TO-247 130A 200V Kênh N (4668)

MOSFET IRFP4668 TO-247 130A 200V (Kênh N)

Định nghĩa:
- Mosfet, viết tắt của "Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor" trong tiếng Anh, là Transistor hiệu ứng trường (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) tức một Transistor đặc biệt có cấu tạo và hoạt động khác với Transistor thông thường. Mosfet có nguyên tắc hoạt động dựa trên hiệu ứng từ trường để tạo ra dòng điện, là linh kiện có trở kháng đầu vào lớn thích hợp cho khuyếch đại các nguồn tín hiệu yếu.
- Mosfet có khả năng đóng nhanh với dòng điện và điện áp khá lớn nên nó được sử dụng nhiều trong các bộ dao động tạo ra từ trường. Vì do đóng cắt nhanh làm cho dòng điện biến thiên. Nó thường thấy trong các bộ nguồn xung và cách mạch điều khiển điện áp cao.

Thông số kỹ thuật:
FET Type N-channnel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 130A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.7 mOhm @ 81A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 241nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10720pF @ 50V
FET Feature -
Power Dissipation (Max) 520W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-247AC
Package / Case TO-247-3


Datasheet:
https://www.infineon.com/dgdl/irfp4668pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c8528201d
Giá SHIBA